내열성 전극재료를 이용한 GaAs 고집적소자 공정기술
- 저자
- 이재신, 강진영 / 화합물소자연구실
- 권호
- 4권 2호 (통권 12)
- 논문구분
- 일반 논문
- 페이지
- 160-0
- 발행일자
- 1989.06.15
- DOI
- 10.22648/ETRI.1989.J.040209
- 초록
- 초고속 고밀도 GaAs논리소자 제조에서 내열성게이트를 이용한 자기정렬형 MESFET 기술은 우수한 성과를 보이고 있다. 본 고에서는 GaAs 집적소자에 응용되는 여러가지 내열성재료들의 특징과 문제점을 파악하고 현재까지의 개발현황을 알아보았다. 현재 여러가지 저저항 텅스텐화합물이 집적소자제조에 성공적으로 이용되고 있다. 이들 내열성재료의 특성과 더불어 집적소자제조의 전후공정 및 소자구조는 최종적으로 얻어지는 소자특성을 좌우한다. 따라서 최근까지의 내열성게이트를 이용한 GaAs 공정기술의 개발과정을 정리하고 각 기술의 특징을 분석하였다.
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