'89 Symposium on VLSI Technology에서의 절연막 분야 기술분석

저자
노태문, 조덕호, 이경수, 남기수 / 박막기술연구실
권호
4권 3호 (통권 13)
논문구분
일반 논문
페이지
106-0
발행일자
1989.09.15
DOI
10.22648/ETRI.1989.J.040308
초록
반도체 집적회로(IC)가 고집적화됨에 따라 소자는 계속 축소화되고 이에 따른 소자 제조공정은 더욱 엄격하고 복잡해지고 있다. 그 중 절연막 분야에서는 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) 소자의 절연막과 기억소자에서의 capacitor 절연막의 초박막화와 고신뢰화가 매우 주목 받고 있는 분야이다. 본 고에서는 지난 1989년 5월 Kyoto에서 IEEE Electron Device Society와 일본 응용물리학회가 공동주최로 개최된 '1989 Symposium on VLSI Technology' 에서 발표된 논문 중에서 절연막에 관련된 논문을 분석 정리함으로써 절연막에 대한 최근 기술 동향을 파악하고자 하였다.
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