GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향
Global R&D Trends of GaN Electronic Devices
- 저자
- 문재경, 배성범, 장우진, 임종원, 남은수 / RF융합부품연구팀
- 권호
- 27권 1호 (통권 133)
- 논문구분
- 스마트 & 그린 융합부품소재기술 특집
- 페이지
- 74-0
- 발행일자
- 2012.02.15
- DOI
- 10.22648/ETRI.2012.J.270107
- 초록
- 차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성(700˚C) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
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