차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력소자 연구개발 현황

Next Generation Energy Efficient Semiconductors: Status of R&D of GaN Power Devices

저자
문재경, 민병규, 김동영, 장우진, 김성일, 강동민, 남은수 / RF융합부품연구팀
권호
27권 4호 (통권 136)
논문구분
일반 논문
페이지
96-0
발행일자
2012.08.15
DOI
10.22648/ETRI.2012.J.270410
초록
차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온(700˚C) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.
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