Avalanche Photodiode의 연구 현황과 전망
- 저자
- 박찬용, 유지범, 김홍만 / 화합물 반도체개발실
- 권호
- 8권 1호 (통권 27)
- 논문구분
- 일반 논문
- 페이지
- 92-0
- 발행일자
- 1993.03.15
- DOI
- 10.22648/ETRI.1993.J.080108
- 초록
- 광통신의 전송용량을 증가시키는 방법의 한가지로 전송속도의 증대에 관한 연구개발이 국내외에서 진행되어 왔다. 전송속도가 증가하여 Gb/s 급 이상이 되면 수신단 전치증폭기의 잡음이 급격히 증가하게 되어 수신감도가 떨어지게 되는데 이는 곧 중계기의 간격 감소로 인한 경제성의 저하를 의미한다. 이러한 수신단의 수신감도 저하를 극복하는 방법의 하나로 내부 이득을 갖는 APD(Avalanche Photodiode)를 수광소자로 사용하고자 하는 연구가 진행되어 왔다. 본 고에서는 InGaAs를 흡수층으로 하는 광통신용 APD의 구조, 동작특성 및 최근 연구동향을 소개하고자 한다.
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