실리카 식각공정 기술동향
Technical Trend of Silica Film Etching
- 저자
- 박상호, 성희경, 최태구
- 권호
- 14권 1호 (통권 55)
- 논문구분
- 일반 논문
- 페이지
- 13-0
- 발행일자
- 1999.02
- DOI
- 10.22648/ETRI.1999.J.140102
- 초록
- 평면형 광소자 제조공정 중 실리카 식각공정 기술은 일반적으로 잘 알려진 반도체 식각공정 기술과 달리 8㎛이상을 식각할 수 있는 높은 식각률과 그에 따른 마스크 물질의 높은 선택비를 필요로 하며, 특히 광 손실을 줄이기 위하여 표면 및 측면의 조도를 줄일 수 있는 공정기술을 필요로 한다. 본 고에서는 8㎛이상의 실리카 채널 도파로 형성시 요구되는 식각특성 중 식각률과 식각선택비 및 플라즈마 소스에 대하여 알아보고, 유도결합프라즈마(inductively coupled plasma)를 사용한 실리카막의 식각특성과 최근 진행되고 있는 희토류 첨가 실리카막 식각공정에 대하여 소개한다.
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