Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향
Technology Trend of Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT Devices
- 저자
- 윤형섭, 이진희, 이경호
- 권호
- 15권 6호 (통권 66)
- 논문구분
- 일반 논문
- 페이지
- 113-0
- 발행일자
- 2000.12
- DOI
- 10.22648/ETRI.2000.J.150613
- 초록
- 본 고에서는 MHEMT(Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT) 구조의 특성, MHEMT 소자특성, MHEMT MMIC 결과와 향후의 기술동향을 논의한다.
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