초격자를 응용한 고속소자 개발현황
- 저자
- 이재진, 이종람, 맹성재, 김진섭 / 신소자재료연구실
- 권호
- 3권 2호 (통권 8)
- 논문구분
- 일반 논문
- 페이지
- 27-0
- 발행일자
- 1988.06.15
- DOI
- 10.22648/ETRI.1988.J.030203
- 초록
- GaAs는 Si보다 이동도가 커서 고속성을 나타낸다. 그런데 이동도는 온도에 따라 저온에서는 불순물의 영향을 받으며 실온 이상에서는 격자 산란의 영향을 받는다. HEMT는 불순물의 영향을 제거하여 초고속성을 가지나 격자산란의 효과는 제거하지 못하였다. 격자산란을 제거하기 위해 HEMT소자에 초격자를 도입하여 초격자 응용 HEMT가 MBE에 의하여 개발되고 있다.
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