PRAM 기술 전망

The Prospect of the Phase-change Random Access Memory Technology

저자
박영삼, 윤성민, 유병곤 / 기능성전자소자팀
권호
20권 6호 (통권 96)
논문구분
IT 핵심부품기술 특집 논문
페이지
62-0
발행일자
2005.12.15
DOI
10.22648/ETRI.2005.J.200606
초록
세계 최고 권위의 반도체 시장 조사기관인 Gartner Dataquest는 2004년 세계 메모리 시장 규모는 480억 달러로 2003년의 335억 달러 대비 43% 성장하였다고 보고하고 있다[1]. 또한 DRAM은 55%, 플래시 메모리는 35%를 차지하고 있으며, 이들 두 메모리가 전체 메모리 시장을 양분하고 있다[1]. DRAM은 cost 및 random access가 가능하다는 장점을 가지고 있지만 휘발성이라는 단점을 가지고 있으며, 플래시 메모리는 cost 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있으나 random access가 불가능하다는 단점을 보유하고 있다. 하지만, PRAM은 DRAM과 플래시 메모리의 장점만을 융합한 통합형 메모리로서, 현재 가장 각광받고 있으며 양산화에 가장 근접한 메모리이다. 본 고에서는 PRAM의 구조 및 동작특성, 개발동향 및 향후 전망에 대해 논의하고자 한다.
   5707 Downloaded 415 Viewed
PDF
목록
Sign Up